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目的:探讨采用电针"百会"、"风府"穴的方法对学习记忆障碍大鼠模型脑内生长抑素(SS)的影响.方法:雄性Wistar大鼠48只,随机分为假手术组、模型组、针刺组和西药组.采用D-半乳糖腹腔注射及鹅膏蕈氨酸双侧Meynert核注射的方法制作大鼠模型.应用电针"百会"、"风府"穴进行治疗.结果:电针大鼠"百会"、"风府"穴可以减少其在穿梭箱检测中遭受电击的次数及电击时间,提高脑组织内SS的含量.结论:电针"百会"、"风府"穴可以提高大鼠脑组织内的SS含量,进而改善大鼠的学习记忆能力.
作者：张迪；张洁玉；刘丹
来源：中医药信息 2007 年 24卷 1期
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